Научный отчет № 2264

Название

Влияние лазерного отжига на электрофизические свойства p-n-переходов и МДП-структур, изготовленных на основе JnSb.

Авторы

Дубровская Е.К., Еремина И.И., Коршунов А.Б.

Аннотация

Описаны результаты эллипсометрических исследований имплантированных слоев р - и n - JnSb. Обнаружено новое, неизвестное ранее явление аномального коротковолнового сдвига края полосы собственного поглощения вырожденного n - JnSb, наблюдаемого в тонкой (~10²А⁰) приповерхностной области имплантированного слоя при дозах облучения, приводящих к его аморфизации, причем максимум аморфизации расположен на значительно большем расстоянии от поверхности JnSb. Предложено использовать найденный эффект для определения порога и степени аморфизации имплантированных слоев вырожденного n - JnSb, а также типа проводимости, концентрации и подвижности электронов в вырожденных аморфизованных слоях n - JnSb. Разработаны методики определения порога и степени аморфизации р - и n - JnSb, типа проводимости вырожденного JnSb, а также концентрации, эффективной массы и подвижности электронов в вырожденном n - JnSb.

Год публикации

1979 г.

Объём

69 с.

Научный руководитель

Коршунов А.Б.

Ключевые слова

методика, аллипсометр, аллипсометрический параметр ψ, эллипсометрический параметр Δ, порог аморфизации, степень аморфизации, тип проводимости, концентрация электронов, эффективная масса электронов, подвижность электронов, коэффициент экстинкции, показатель преломления, коэффициент поглощения света, сдвиг края полосы собственного поглощения, имплантированный слой.