Научный отчет № 2444

Название

Влияние лазерного отжига на электрофизические свойства p -n - переходов и МДП - структур, изготовленных на основе JnSb. (Заключительный).

Авторы

Коршунов А.Б., Агафонова Т.М., Гарькина В.П., Дубровская Е.К., Старикова Л.Е., Тихонова О.В.

Аннотация

Описаны результаты исследований изменения электрофизических свойств слабо легированного р - JnSb, имплантированных слоев в р - JnSb МДП -структур на основе JnSb под воздействием импульсного лазерного излучения. Впервые получены n -p переходы на основе р - nSb, облученного лазером в режиме модулированной добротности. Обнаружена деградация плазмохимического нитрида кремния под воздействием нетеплового лазерного излучения. Обнаружено новое, неизвестное ранее явление анизотропии явлений переноса в антимониде индия, заключающееся в закономерном увеличении электропроводности в n - слоях, созданных лазерным облучением, и скоростей диффузионных процессов и отжига структурных дефектов при переходе от кристаллографической ориентации [211] к кристаллографическим ориентациям [III] и [100] . Уточнена методика определения концентрации и эффективной массы электронов в вырожденном n - JnSb. Освоена методика выявления дислокаций на плоскости (100) n - JnSb и приведены предварительные эксперименты по исследованию структуры n - JnSb после ионного легирования и термического отжига.

Год публикации

1980 г.

Объём

81 с.

Научный руководитель

Шестериков С.А., Коршунов А.Б.

Ключевые слова

уровень Ферми, концентрация электронов, эффективная масса электронов, коэффициент поглощения света, имплантированный слой, вольт-амперная характеристика, р -n переход, лазерный отжиг, воздействие импульсного лазерного излучения, МДП - структура.