Научный отчет № 3694

Название

Разработка методов расчета параметров энергетических уравнений в полупроводниковых материалах.

Авторы

Коршунов А.Б.

Аннотация

Изложены оригинальные аналитические методы расчета параметров энергетических уровней в полупроводниковых материалах. Разработанные методики применены для анализа электрических свойств слаболегированного необлученного и облученного лазером антимонида индия р - типа. Показано, что изотермический отжиг необлученных образцов р-JnSb приводит к перестройке дефектной структуры и перераспределению примесей по объему кристалла. В результате отжига концентрация акцепторов - атомов марганца или кадмия - в подрешетке индия возрастает более, чем на порядок. Одновременно примерно такое же количестве акцепторных атомов становится электрически активным и локализованным в небольшой части объема отжигавшегося кристалла. Показано, что в n - слоях, полученных лазерным облучением р-JnSb, наступает вырождение, характеризующееся отсутствием изменений величины электропроводности и концентрации электронов в интервале температур 77-125 К.

Год публикации

1988 г.

Объём

59 с.

Научный руководитель

Шестериков С.А.

Ключевые слова

температурная зависимость, коэффициент Холла, электропроводность, энергия ионизации уровня, изотермический отжиг, воздействие импульсного лазерного излучения.